微导纳米携全场景薄膜沉积解决方案亮相SEMICON 2026加速国产设备量产替代

2026年3月25日，SEMICON China 2026在上海启幕，国内半导体高端薄膜工艺沉积设备领军者微导纳米（688147.SH）携全场景ALD及CVD设备解决方案矩阵重磅参展。当前，AI驱动先进逻辑芯片升级、HBM（高带宽存储）催热先进封装、存储芯片扩产潮三大产业趋势交汇，微导纳米集中展出面向逻辑、存储芯片、先进封装等多领域的全系列薄膜沉积产品，彰显国产设备在核心赛道的技术突破与产业化进展。

作为半导体制造的核心环节，薄膜沉积设备直接决定芯片性能与良率，长期以来被海外企业主导。此次微导纳米的参展阵容，不仅覆盖主流应用赛道，更在多个关键技术领域实现突破，成为国产薄膜沉积设备迈向“大规模量产替代”的重要缩影。

逻辑芯片制造：PEALD助力技术突破

在逻辑芯片制造领域，工艺节点持续演进对薄膜沉积设备的精度、稳定性提出更高要求。据悉，微导纳米是国内首家将量产型High-k ALD设备应用于28nm前道生产线的国产厂商，此次展会上，其新一代iTomic® PE系列等离子体增强原子层沉积设备引发行业关注。

该设备采用独特的Thunder Balance®技术，可实现射频效果的毫秒级切换，在薄膜均匀性、致密性及颗粒控制等关键指标上达到国际先进水平，能够满足逻辑芯片关键界面层与阻挡层的严苛制造需求，为产业升级替代提供核心设备支撑。

存储芯片赛道：空间ALD破解高深宽比填充难题

随着3D NAND、3D DRAM等存储芯片技术向高层数、高集成度演进，高深宽比结构的薄膜填充成为行业核心痛点。此次微导纳米重点展出的iTomic® SPX系列空间型原子层沉积设备，针对性解决了这一行业难题。

该产品采用独创的空间ALD技术，通过优化反应腔体设计，在保持近100%优异台阶覆盖率的同时，大幅提升沉积速率，且单腔可同时处理多片晶圆，具备生产效率高、维护间隔长的优势，完美匹配存储芯片量产线对产能与薄膜质量的双重需求。，可有效提升深孔、深槽等复杂结构中薄膜沉积均匀性指标。

据悉，微导纳米的iTomic®系列ALD设备与iTronix®系列CVD设备已批量进入国产存储芯片量产线，是国内首批进入存储芯片量产线的国产硬掩膜沉积工艺专用高端PECVD设备。

先进封装领域：低温PECVD抢占AI算力市场先机

AI算力浪潮下，HBM、Chiplet等先进封装技术成为提升芯片性能的核心路径，也对薄膜沉积设备提出了全新的技术要求，尤其是低热预算工艺需求日益迫切。微导纳米率先推出的iTronix®系列低温PECVD设备，精准契合这一市场需求。

依托专有的冷却和动态温控技术，该设备可在50~450°C的温度区间内实现高质量薄膜沉积，有效解决了传统高温工艺导致的晶圆翘曲、材料热损伤等问题，能够满足2.5D/3D封装中低热预算、高纵横比沟槽、厚膜沉积等关键需求，显著提升封装良率。

量产验证成效显著 半导体业务成增长核心

技术突破的背后，是市场验证的有力支撑。数据显示，短短3年内，微导纳米设备累计过货晶圆已突破600万片，这组数据的快速不仅印证了其设备的高性能、高稳定性、高可靠性，也标志着其ALD及CVD设备早已迈入大规模量产阶段。

业绩层面，微导纳米2025年半导体设备收入达8.81亿元，同比增长169.12%，占主营业务收入比重从12.14%跃升至33.50%，公司战略转型从“培育期”正式进入“收获期”，半导体业务已成为驱动公司增长的核心引擎。

持续的研发投入是技术突破的关键。据微导纳米CTO黎微明透露，公司研发投入占比长期保持在20%左右，近期成功发行的可转债也为企业持续创新提供了充足的资金保障。

业内人士表示，微导纳米此次在SEMICON China 2026的实力亮相，不仅展现了国产薄膜沉积设备的技术实力，更彰显了国产设备企业在核心赛道的前瞻布局。随着先进制程、先进封装、新兴半导体领域的需求持续释放，微导纳米有望凭借全场景产品矩阵与规模化量产能力，进一步加速国产设备替代进程，推动国内半导体产业链自主可控发展。

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