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北大电子学院:攻坚半导体前沿,践行科技自立

2025-11-19 15:35:32   来源:实况网

在全球科技竞争的激烈赛道上,半导体芯片技术是衡量一个国家科技实力的核心指标。随着硅基芯片逐渐逼近摩尔定律的物理极限,如何突破性能瓶颈、提升芯片的集成度与能效比,成为世界各国科研人员竞相攻坚的“必答题”。在这场没有硝烟的技术博弈中,中国科研人员凭借坚定的信念、不懈的努力和卓越的智慧,正推动低维半导体芯片技术从 “跟跑” 到 “领跑” 的历史性跨越。北京大学电子学院长聘副教授邱晨光带领的团队,正是这一进程中的杰出代表。

打破瓶颈,助力芯片技术“弯道超车”

近年来,国家高度重视半导体芯片技术的发展,将其列为关键核心技术攻关的重点领域。《中华人民共和国科学技术进步法》明确指出,要加强关键核心技术攻关,加快实现高水平科技自立自强。在政策引导和支持下,邱晨光毅然投身于半导体纳米晶体管的研究中。

传统硅基场效应晶体管已接近其本征物理极限,国际半导体器件与系统路线图(IRDS)预测,硅基晶体管的栅长缩减将停滞在12纳米,工作电压不能小于0.6伏,这严重制约了芯片性能的进一步提升。为延续摩尔定律,邱晨光将目光聚焦在具有高迁移率、且厚度仅原子级薄的低维材料上,如碳纳米管和二维材料等,开启了新型半导体技术探索。

2017年,邱晨光以第一作者在《科学》发表论文,实现5纳米栅长碳纳米管晶体管,该晶体管达到了二进制开关电子器件的量子极限,本征性能超同尺寸硅基CMOS,速度快2-5倍,功耗延时积优近10倍。该成果入选中国高校十大科技进展,中国百篇最具影响国际学术论文等,获台积电、IBM、斯坦福大学资深研究员肯定。2018年,再以第一作者在《科学》发表狄拉克冷源晶体管成果,打破玻尔兹曼限制,室温亚阈值摆幅达35 毫伏/量程,该项晶体管新机理入选国际半导体路线图,国家重点研发计划十三五标志性成果,全国科创中心重大标志性原创成果等。

2023年,团队研制出世界上迄今弹道率最高、速度最快、功耗最低的二维晶体管——弹道硒化铟晶体管,该晶体管使用高载流子热速度的三层硒化铟作为沟道,在室温下实现83%的弹道率,一举打破硅基终极“红墙”:沟长10纳米(超硅基极限12纳米)、电压0.5伏(超2037年硅基极限0.6伏),本征门延时0.32皮秒(较硅基极限快4倍),功耗延迟积低一个量级。成果发表于《自然》,入选“2023年中国十大科技进展新闻”、“中国高校十大科技进展”等。

2024年,团队在《自然・电子学》发表成果,发明“稀土钇掺杂诱导相变”及“原子级精准选区掺杂技术”,解决源漏极金属与二维半导体接触存在肖特基势垒的国际难题,通过软等离子体诱导和退火掺钇,实现理想欧姆接触,为二维电子学走向业界晶圆集成加工提供关键技术支撑。2025年,团队与多课题组合作在《科学》发文,攻克硒化铟晶圆生长难题,研制出性能超3纳米硅基技术的晶体管,为低维芯片发展奠定材料和器件基础。同期,团队合作在《自然・材料学》发表成果,采用空气侧墙技术和原生自氧化栅叠层技术,实现了迄今最高性能的二维环栅晶体管。

传承担当,为科研事业注入新生力量

在攻克一项项技术难关的同时,邱晨光深知 “人才是第一资源”,培养专业人才对半导体行业长远发展至关重要。他认为,高校教师这一职业兼具科学研究和培育人才的双重使命。工作中,邱晨光尤为享受与学生进行科学探讨。他几乎每天都雷打不动地组织多场头脑风暴,以激情点燃学生的思维火花。从材料分析、结构设计到工艺细节,从文献精读感悟到科研思路碰撞,始终以平等的姿态与学生交流,鼓励学生勇于尝试、不怕失败,营造出开放、包容的学术氛围,让学生们在科研道路上能够充分发挥潜力。在他的引导下,许多学生对半导体行业产生了浓厚兴趣,并选择在毕业后从事相关研发工作,为国家芯片发展贡献力量。邱晨光名下培养的第一位博士生姜建峰,获得北大学生五四青年奖,并进入麻省理工学院博后;陈吴繁、方利进入华为公司从事芯片研发;孟德欢、吕金帅进入中电科集团从事半导体技术研发。

潜心钻研,尽显青年科研人才精神风貌

每一项突破,都凝结着邱晨光的科研热情和心血。实验室常见他的忙碌身影,万家灯火的除夕夜依然坚守岗位,用行动诠释着科学家的执着与担当。这份热忱与投入,让他能冷静应对挑战,不断探索新方法,终获突破。

这位从陕西渭北高原走出来的青年学者,始终扎根祖国大地开展科学研究。邱晨光秉承深厚的家国情怀,以敢为人先的学术勇气,持续向国际前沿科学难题发起挑战。在恩师彭练矛院士和张志勇教授的指引下,邱晨光更坚定了深耕半导体芯片领域的决心。让整个彭练矛碳基团队备受鼓舞。将个人科研与国家战略需求相结合,团队成果有力推动了低维半导体技术发展,提升了我国在国际芯片科技领域的竞争力,为实现高水平科技自立自强贡献力量。

从极限栅长碳管器件到弹道二维晶体管,从超低功耗狄拉克冷源到稀土钇掺杂诱导相变新机理,邱晨光带领团队在半导体领域实现了一系列中国式原创突破。推动我国低维半导体技术从“跟跑”到“领跑”的跨越,为解决芯片“卡脖子”难题、服务国家战略需求做出贡献。他的家国情怀、钻研精神以及作为引领者与传承者的担当,正激励着更多青年学者投身科技创新事业。在科研人员的不懈努力下,我国的半导体芯片技术将不断取得新突破,为建设科技强国提供强有力的支撑。