攻克深硅刻蚀难题！拓中科技晶圆工艺良率达行业领先

近日，拓中科技团队传出捷报：其研发的晶圆制备工艺在深硅刻蚀环节取得重大突破，6英寸晶圆单位批次良率提升至95%以上，单晶圆芯片数量达576颗，核心指标超越国际同类工艺，为MEMS传感器规模化生产奠定坚实基础。

深硅刻蚀是MEMS传感器制备的核心环节，直接影响器件性能与生产效率。传统工艺中，刻蚀孔侧壁钝化不均匀、侧壁形貌粗糙等问题突出，导致产品良率普遍低于85%，且深宽比难以突破10:1，无法满足复杂结构器件需求。

拓中科技团队针对这些难题，展开专项攻关：通过调整伪Bosch刻蚀工艺的气体配比（SF₆与C₄F₈流量比12:12）、优化反应腔压强至4.2mTorr、提升前向功率至860W以上，成功实现深宽比≥30:1的刻蚀效果，侧壁垂直度达89.5°，底部平整度误差≤3%。为验证工艺稳定性，团队进行了100批次重复性实验，结果显示良率波动始终控制在±2%以内，远超行业±5%的平均水平。

同时，团队开发的体硅MEMS长掩膜微细加工优化流程，将光刻、刻蚀等步骤整合，减少工艺循环次数，使单批次生产时间缩短20%，大幅降低生产成本。

目前，该工艺已在靖江市拓中科技工作室的中试线投入运行，可稳定生产6英寸、8英寸晶圆，产品通过南京泓遥技术有限公司等客户验证，在智能汽车电子、工业控制等场景的试用反馈良好。团队表示，下一步将继续优化工艺参数，目标在2025年实现12英寸晶圆兼容生产，进一步提升产能，助力我国半导体制造工艺向高端化迈进。（肖宇翔/文）

免责声明：市场有风险，选择需谨慎！此文仅供参考，不作买卖依据。