创新突破！“铈”在必得团队研发高性能纳米氧化铈抛光液，领航集成电路抛光领域
近日，“铈”在必得团队在纳米氧化铈抛光液领域取得重大技术突破，研发出一套创新的制备方案，为集成电路、光学元件等高端制造领域的抛光工艺提供了全新解决方案，有力推动了相关产业的高质量发展。
纳米氧化铈抛光液作为集成电路制造中化学机械抛光（CMP）工艺的关键材料，其性能直接影响芯片的精度和良率，长期以来，高端市场被美日企业垄断，国内90%依赖进口。在国家政策对半导体及新材料产业的大力支持下，“铈”在必得团队深耕该领域，通过技术创新打破国外垄断，成为国产替代进程中的重要力量。
团队创新研发的核心工艺包括一步水热合成技术、真空磁力搅拌技术、电渗析纳米纯化技术和涡旋脉冲超声分散技术。一步水热合成技术以硝酸铈为前驱体，在25%-28%浓度的氨水中，借助CTAB形貌控制剂与尿素碳源的协同作用，于170℃高温高压环境下进行24小时水热反应，直接在液相中完成晶化与纯化，避免了传统工艺中高温煅烧导致的颗粒团聚问题，制备周期缩短40%以上，能耗降低30%。电渗析纳米纯化技术采用“离子交换层+纳米过滤层”复合膜结构，在直流电场作用下同步去除离子与纳米污染物，使纳米氧化铈纯度提升至99.99%以上，杂质离子去除率超99.8%，重金属含量低于0.8ppb，达到半导体级纯度标准。涡旋脉冲超声分散技术结合强力旋转搅拌与间歇式超声波，将分散时间从1小时压缩至20分钟，能耗降低40%，所得抛光液粒径均匀性（PDI<0.2）与抛光性能（表面粗糙度Ra<0.5nm）均显著优于传统工艺。
该纳米氧化铈抛光液展现出卓越性能：抛光速率≥300nm/min，较传统产品提升50%；SiO₂/Si₃N₄选择去除比≥60，可实现原子级表面平整度，满足7nm以下先进制程需求；硅片抛光后划痕密度<0.1个/cm²，优于进口产品标准。其高稳定性使其沉降稳定期超过45天，能适配多种抛光设备和工艺场景。
随着5G技术、人工智能、物联网的快速发展，全球半导体市场规模持续扩大，对高性能抛光液的需求日益旺盛。“铈”在必得团队的研发成果，不仅填补了国内高端纳米氧化铈抛光液的技术空白，还为集成电路产业链自主可控提供了关键支撑。
目前，团队已完成产品的小试和中试，通过了权威第三方检测机构检测，各项指标符合标准，并获得广西中沛光电、湖北天瓷电子等企业的认可与合作意向。团队还与广西睿桂科技有限公司达成合作，推动产品进入产业化实施阶段，未来将继续聚焦半导体制造、光学元件等领域，持续迭代创新，助力我国高端制造产业升级。
